英伟达发布了全新的AI加速卡Blackwell GB200，配备192GB HBM3E内存

英伟达今日发布了全新的AI加速卡Blackwell GB200，配备192GB HBM3E内存，并采用了台积电4NP工艺制程。

      这款加速卡拥有2080亿个晶体管，推理大语言模型性能比H100提升了30倍，同时成本和能耗减少了96%。另一方面，SK海力士也宣布他们的最新超高性能AI内存产品HBM3E已经开始量产，并将从本月下旬起供货给客户。据介绍，HBM3E每秒可处理1.18TB数据，相当于在1秒内可以处理230部全高清级电影。SK海力士表示，他们的HBM3E注重散热表现，采用了先进的MR-MUF技术，散热性能较上一代产品提高了10%，达到全球最高水平。

      柳成洙副社长表示，SK海力士通过全球首次HBM3E投入量产进一步巩固了其AI存储器业界领先地位，并将继续夯实与客户的关系。此外，尽管竞争对手三星电子和美光也向NVIDIA提供HBM3E样品，但SK海力士比预计时间提前了至少两个月。
目前，NVIDIA在AI GPU市场占据了90%以上的份额，而SK海力士则已经垄断了全球HBM市场一半以上的份额，且完全垄断了128GB DDR5等大容量DRAM产品市场。