谁是下一个晶圆代工“最强王者”？

近日，台积电在北美年度技术论坛上发布了埃级A16先进工艺。预计2026年量产。不仅早于竞争对手Intel14A和三星SF14，两者均在2027年量产，而且台积电强调A16不需要使用High-NAEUV，更具成本竞争力。市场看好台积电艾美时代首战将取得丰硕成果。

台积电A16量产时间与成本或领先竞争对手

据台积电透露，A16先进制程将结合SuperPowerRail与纳米片晶体管，将于2026年量产。SuperPowerRail移动将电源网络移至晶圆背面，释放晶圆正面更多的信号网络空间，提高逻辑密度和性能，适用于信号布线复杂、电源网络密集的高性能计算（HPC）产品。

与台积电N2P工艺相比，A16在相同Vdd（工作电压）下速度提升8%~10%，相同速度下功耗降低15%~20%，芯片密度提升高达至1.1倍，配套数据中心产品。

此外，由于AI芯片公司渴望优化设计以发挥台积电工艺的全部性能，台积电也认为没有必要使用ASML最新的高数值孔径（High-NA）EUV来生产A16工艺芯片。此外，台积电还展示了将于2026年推出的超轨电源，从芯片背面供电，可以帮助AI芯片加速运行。18A的能耗效率提高15%，晶体管密度将提高20%。Intel14A-E增强版还将在Intel14A的基础上增加5%的能耗。按照计划，Intel14A最快要在2026年量产，Intel14A-E要到2027年才会量产。

近日，Intel也宣布完成业界首个商用高数值孔径极紫外光刻设备（高NAEUV）组装。光刻技术大厂ASML的TWINSCANEXE:5000High-NAEUV光刻设备已开始多重校准，将于2027年开始量产Intel14A工艺。Intel强调，当High-NAEUV光刻设备与其他领先工艺结合时自有代工服务技术，印刷尺寸比现有EUV机小1.7倍。由于2D尺寸缩小，密度提升2.9倍，协助Intel推进制程蓝图。

三星SF1.4添加纳米片，提升性能和功耗

相比台积电和英特尔，媒体报道显示，三星在两年前的三星代工论坛2022上公布了其先进工艺蓝图，埃级SF1。2027年量产SF1.4（1.4纳米）。三星高管透露，正在开发的SF1.4纳米芯片数量已从三个增加到四个，预计将改善性能和功耗。

三星在2022年6月宣布量产SF3E（3nmGAA）后，推出了全新的GAA（Gate-All-Around）架构。今年发布了第二代3nm工艺的SF3（3nmGAP），采用第二代多桥沟道场效应晶体管（MBCFET），在原有SF3E的基础上优化了性能，同时还具有性能增强的SF3P（3GAP+），适合制造高性能芯片。到2025年，三星将量产SF2（2nm）工艺，2027年量产SF1.4（1.4nm）工艺。

三星希望增加每个晶体管的纳米片数量，以增强驱动电流并提高性能。更多的纳米片允许更高的电流通过晶体管，从而增强开关能力和运行速度。更多的纳米片还能够更好地控制电流，有助于减少泄漏并降低功耗。改进的电流控制意味着晶体管产生更少的热量。